用于小規模生產和開發的柔性常壓CVD設備
D501系列
特征
性能
均勻的薄膜厚度
取決于薄膜類型和厚度
支持的晶圓尺寸
根據可加熱區
氣體種類
SiH4, O 2, PH 3, B 2 H6, N 2(TEOS, TEB, TMOP,O 3, TMA 可選)
薄膜沉積溫度
350°C~450°C
生產力
-
主要規格
設備尺寸
1200毫米(寬) x 2480毫米(深) x 1940毫米(高)
加熱機構
電阻加熱
裝載卸載
手動方法
分散頭(氣體噴嘴)
A63頭
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